HC32F460的Flash功能很有意思 ， 提供两种编辑模式：单步编辑 ， 连续编辑 。 其中单步编辑 ， 没什么特殊要求 ， 可以直接使用；而连续编辑就需要在RAM中操作了 。
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需要这些哦
联想E460
Win10专业版
Keil5V5.14
HC32F460开辟板
方式/
1在工程中写好flash编程代码 ， 硬件仿真全速调试后 ， 发现存储区乱码 ， 汇编指针跑飞 。
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2查阅资料后知道利用持续编纂函数"EFM_SequenceProgram"时 ， 需要占用flash总线 ， 从而不克不及读取flash里的指令 。
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3仿真单步运行后 ， 发现运行指针从"EFM_SequenceProgram"函数中的"EFM_ClearFlag"处起头跑飞 。
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4【HC32F460的Flash连续编辑功能用法】因为运行跑飞 ， 而不是代码优化导致的问题 。 在请求了手艺撑持后得出 ， “EFM_SequenceProgram”不克不及在flash中运行 。 那么只能在RAM中运行了 。
下图为map中函数地址 ， 都在flash上 。
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5解决方式有两个：
1、将代码全数放在ram上运行；
2、将与“EFM_SequenceProgram”相关的函数放到RAM中运行
小我选择第2个方案
61、需要在RAM上申请一个区域作为函数运行区
在“工程\Objects”下点窜.sct文件
在“RW_IRAM1”中申请区域“*.o(RAMCODE)”
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72、工程中利用前点窜设置装备摆设“魔法棒-Linker” ， 打消“Use Memory Layout form Target Dialog” ， “Scatter File”中选择点窜的.sct文件
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8在需要挪用的函数前利用“__attribute__((section("RAMCODE")))” ， 并将其内部其他挪用函数前均添加“__attribute__((section("RAMCODE")))” 。
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9查看.map ， 可以看到函数地址都位于ram区域了
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10仿真全速运行调试后 ， 发现系统运行正常 。
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注重事项HC32F460操作flash的最小单元是32位数据 ， 故内部封装也都要转化为32位数据 。
以上内容就是HC32F460的Flash连续编辑功能用法的内容啦 ， 希望对你有所帮助哦！
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